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时刻关注光刻机技术进展的孙健，如今还没有听说台积电的林博士在国际半导体研讨会上提出研发“沉浸式光刻”的设想。
“沉浸式光刻”就是在晶圆光刻胶上方加一层水，水的介质折射率是1.44，193nm/1.44≈134nm，在不改变光刻机波长情况下，变相扩大了NA，使得193nm波长的能等效出134nm的波长。
前世，林博士拿着这项“沉浸式光刻”方案，跑遍美国、德国、日本等国，游说...
“沉浸式光刻”就是在晶圆光刻胶上方加一层水，水的介质折射率是1.44，193nm/1.44≈134nm，在不改变光刻机波长情况下，变相扩大了NA，使得193nm波长的能等效出134nm的波长。
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